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择合适的缓冲层材信号旗、规格尺寸、生产厂家、定制定料在Si基板上制备(110)取向的Pt电极,所使用的缓冲层与目前使用最广泛的Pt(111)/Ti/SiO2/Si基板中的Ti粘结层具有非常相似的性质,几乎不对Si基板的性能和沉积的铁电薄膜的性能产生任何影响。在Pt为(110)取向的基板上可方便地制备出高质量高度(110)取向或外延的钙钛矿型铁电薄膜。已获得的高度(110)取向PZT 40/60薄膜性能非常优越,其剩余极化可达到46 μC/cm2,自发极化 78μC/cm2,相对介电常数 1600 (1 kHz),热释电系数 7.8×10-4 C m-2 K-1(25摄氏度),这些值是目前所有公开报道的 PZT 40/60 薄膜性能值的两倍之多。克服了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si基板上制备时铁电薄膜随机取向、可靠性和一致性差的缺点,通过使用该基板制备铁电薄膜的工艺简单,所制备的铁电薄膜具有信号旗、规格尺寸、生产厂家、定制定很高的质量并且高度(110)取向,电性能优越。该薄膜制备技术是钙钛矿型铁电薄膜制备技术领域的革命性突破。所制备的铁电薄膜可达到焦平面非制冷型远红外传感阵列,微电子领域中动态随机存储器 (DRAM)、移相器

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